BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | STP4NK80Z | |
| Производитель | ST Microelectronics | |
| ЧипСити Номер продукта | CC11422846 | |
| Категория продукта | Труба MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-220-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 800 V | |
| Номинальный Ток | 3.00 A | |
| Номинальная Мощность | 80 W | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 3 Ω | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 80 W | |
| Пороговое Напряжение | 3.75 V | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 800 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 800 V | |
| Пробивное Напряжение (Затвор-Исток) | ±30.0 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 3.00 A | |
| Время Нарастания | 12 ns | |
| Входная емкость (Ciss) | 575pF @25V(Vds) | |
| Максимальная входная мощность | 80 W | |
| Время падения | 32 ns | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 80000 mW | |
| Длина | 10.4 mm | |
| Ширина | 4.6 mm | |
| Высота | 9.15 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
