SI4532DY Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

SI4532DY

Fairchild

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8Pin SOIC N T/R

Наличие: 1,030 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 43.98

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC71219666

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

SI4532DY характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	SI4532DY
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC71219666
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальное Напряжение (DC)	30.0 V
Номинальный Ток	3.90 A
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	53 mΩ
Полярность	N-Channel, P-Channel
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	±30.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	3.90 A
Входная емкость (Ciss)	235pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	900 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2 W
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

SI4532DY описание продукта

The SI4532DY is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where switching, low in-line power loss fast and resistance to transients are needed.
High density cell design for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability in a widely used surface-mount package

Показывать

SI4532DY Даташит PDF

4 страницы, 328 КБ

09/24/1999