RFD16N05LSM9A Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

RFD16N05LSM9A

Fairchild

Trans MOSFET N-CH Si 50V 16A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Наличие: 1,098 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 52.62

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11274596

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

RFD16N05LSM9A характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	RFD16N05LSM9A
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11274596
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальное Напряжение (DC)	50.0 V
Номинальный Ток	16.0 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	47 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	60 W
Пороговое Напряжение	2 V
Заряд Затвора	80.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	50 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	50 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±10.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	16.0 mA
Время Нарастания	30 ns
Максимальная входная мощность	60 W
Время падения	14 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	60 W
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

RFD16N05LSM9A описание продукта

The RFD16N05LSM9A is a N-channel logic level Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits give optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, switching regulators, switching converters and emitter switches for bipolar transistors. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. Formerly developmental type TA09871.
UIS SOA rating curve (single pulse)
Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
SOA is power dissipation limited
Nanosecond switching speeds
Linear transfer characteristics
High input impedance
Majority carrier device

Показывать

RFD16N05LSM9A Даташит PDF

7 страницы, 605 КБ

12/23/2003