BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | IXFN80N50P | |
| Производитель | IXYS Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC55021559 | |
| Категория продукта | Труба MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Количество Выводов | 4 Pin | |
| Корпус/Пакет | SOT-227-4 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 500 V | |
| Номинальный Ток | 80.0 A | |
| Количество Каналов | 1 Channel | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 65 mΩ | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 700 W | |
| Заряд Затвора | 195 nC | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 500 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 500 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 80.0 A | |
| Время Нарастания | 27 ns | |
| Входная емкость (Ciss) | 12700pF @25V(Vds) | |
| Максимальная входная мощность | 700 W | |
| Время падения | 18 ns | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 700000 mW | |
| Длина | 38.2 mm | |
| Ширина | 25.07 mm | |
| Высота | 9.6 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
