IXA33IF1200HB Купить - IXYS Semiconductor Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXA33IF1200HB

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58A, 2.1V, 250W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins

Наличие: 0 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: Запросить цену

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC61504200

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IXA33IF1200HB характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXA33IF1200HB
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC61504200
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	250 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	350 ns
Максимальная входная мощность	250 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	250 W
Длина	16.24 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	21.45 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IXA33IF1200HB описание продукта

The IXA33IF1200HB is a XPT IGBT features high-current handling capabilities, high-speed switching abilities, low total energy losses and low current fall times. They have a positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient, making it possible for designers to use multiple devices in parallel to meet high current requirements. Their low gate charges also help reduce gate drive requirements and switching losses. In addition to being avalanche rated, this device has square reverse bias safe operating areas (RBSOA) up to the breakdown voltage of 1200V, a necessary ruggedness in Snubberless hard-switching applications. The new 1200V XPT™ device with co-packed anti-parallel Sonic-FRD™ or HiPerFRED™ diode is optimized to reduce turn-OFF losses and suppress ringing oscillations, thereby producing smooth switching waveforms and significantly lowering electromagnetic interference (EMI) in the process.
Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the ON-state voltage
Thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE (saturation)
Very low gate charge
Low EMI
Square RBSOA at 3x IC
Short-circuit rated for 10µs
SONIC™ diode - Low operating forward voltage, fast and soft reverse recovery

Показывать

IXA33IF1200HB Даташит PDF

6 страницы, 117 КБ

просматривать

IXA33IF1200HB Другие Даташит

6 страницы, 126 КБ

10/24/2013

просматривать

IXA33IF1200HB Другие Даташит

6 страницы, 127 КБ

10/24/2013

просматривать

IXA33IF1200HB Другие Даташит

6 страницы, 134 КБ

07/06/2010

просматривать

IXA33IF1200HB Другие Даташит

1 страницы, 78 КБ

05/01/2001

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.68735LO0V1Q0QC0S0