IRS23364DSPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRS23364DSPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Non-Inv 28Pin SOIC W Tube

Наличие: 975 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 435.85

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC13726012

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRS23364DSPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRS23364DSPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC13726012
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	28 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-28
Напряжение Питания (DC)	11.5V (min)
Номинальная Мощность	1.6 W
Время Нарастания/Спада	125ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	6 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	200.350 mA
Количество Каналов	6 Channel
Количество Стежков	28 Position
Рассеяние Мощности	1600 mW
Время падения (Макс)	75 ns
Время падения (Макс)	190 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1600 mW
Напряжение питания	11.5V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	11.5 V
Длина	18.1 mm
Ширина	7.6 mm
Высота	2.35 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRS23364DSPBF описание продукта

The IRS23364DSPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Gate Driver with three high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies have been implemented in a rugged monolithic structure. The floating logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs. An open-drain FAULT signal is provided to indicate that a fault has occurred. Fault conditions are cleared automatically after a delay programmed externally via an RC network connected to the RCIN input. The output driver features a high-pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Shoot-through protection circuitry and a minimum dead-time circuitry have been integrated into this IC. Propagation delays are matched to simplify the HVICs use in high frequency applications. The floating channels can be used to drive N-channel power MOSFETs or IGBTs in the high-side configuration, which operate up to 600V.
Drives up to 6-IGBT/MOSFET power devices
Integrated bootstrap functionality
Over-current protection
Over-temperature shutdown input
Advanced input filter
Integrated dead-time protection
Shoot-through (cross-conduction) protection
Under-voltage lockout for VCC and VBS
Enable/disable input and fault reporting
Adjustable fault clear timing
Separate logic and power grounds
Tolerant to negative transient voltage
Designed for use with bootstrap power supplies
Matched propagation delays for all channels
3.3V Input logic compatible
-40 to 125°C Operating temperature range
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

IRS23364DSPBF Даташит PDF

49 страницы, 3004 КБ

06/01/2011