IRS21531DPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRS21531DPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.26A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin PDIP Tube

Наличие: 57 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 263.39

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC11110533

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRS21531DPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRS21531DPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC11110533
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PDIP-8
Напряжение Питания (DC)	10.1V (min)
Рабочее Напряжение	10.1V ~ 16.8V
Номинальная Мощность	1 W
Время Нарастания/Спада	120ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	180.260 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Ток Покоя	800 µA
Время Нарастания	120 ns
Время падения	50 ns
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 15.4V
Напряжение питания (Макс)	16.8 V
Напряжение питания (мин)	10.1 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRS21531DPBF описание продукта

The IRS21531DPBF is a self-oscillating half-bridge Gate Driver IC using a more advanced silicon platform and incorporates a high voltage half-bridge gate driver with a front end oscillator similar to the industry standard CMOS 555 timer. The HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugged monolithic construction. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Noise immunity is achieved with low di/dt peak of the gate driver. It is based on the popular IR2153 self-oscillating half-bridge gate driver IC.
CT, RT programmable oscillator
Micropower start-up
Non-latched shutdown on CT pin
Internal bootstrap FET
Excellent latch immunity on all inputs and outputs
±50V/ns dV/dt Immunity
ESD protection on all pins
Internal dead time

Показывать

IRS21531DPBF Даташит PDF

14 страницы, 355 КБ

07/19/2006