IRG4PC50FDPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

IRG4PC50FDPBF

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Наличие: 1,204 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 392.26

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC9460596

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Упаковка: TO-247-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 26.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IRG4PC50FDPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRG4PC50FDPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC9460596
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	200 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	200 W
Входная Ёмкость	4100 pF
Время Нарастания	25.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Тепловое Сопротивление	0.64 ℃/W
Обратное время восстановления	50 ns
Максимальная входная мощность	200 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200000 mW
Длина	15.9 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	20.3 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IRG4PC50FDPBF описание продукта

The IRG4PC50FDPBF is an insulated gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode, optimized for medium operating frequencies. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
±20V Gate-emitter voltage

Показывать

IRG4PC50FDPBF Даташит PDF

11 страницы, 759 КБ

05/03/2004

просматривать

IRG4PC50FDPBF Даташит PDF

3 страницы, 535 КБ

05/03/2004

просматривать

IRG4PC50FDPBF Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IRG4PC50FDPBF Справочное руководство пользователя

264 страницы, 22893 КБ

01/30/2017

просматривать

IRG4PC50FDPBF Справочное руководство пользователя

48 страницы, 7466 КБ

11/04/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/26 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.3071LO54295V149Q0QC0S0