IRFL4105PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFL4105PBF

Infineon

SOT-223 N-CH 55V 5.2A

Наличие: 924 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 21.14

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC71522351

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 23.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFL4105PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFL4105PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC71522351
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-261-4
Номинальная Мощность	2.1 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.045 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.1 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	5.2A
Время Нарастания	12 ns
Входная емкость (Ciss)	660pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	1 W
Время падения	12 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1W (Ta)
Длина	6.7 mm
Ширина	3.7 mm
Высота	1.7 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFL4105PBF описание продукта

The IRFL4105PBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with SOT or SOIC other packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.
Advanced process technology
Dynamic dV/dt rating
Fully avalanche rating
Low static drain-to-source ON-resistance

Показывать

IRFL4105PBF Даташит PDF

9 страницы, 159 КБ

05/26/2004