BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | IRFBE30PBF | |
| Производитель | Vishay Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC82793463 | |
| Категория продукта | Высоковольтное MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-220-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 800 V | |
| Номинальный Ток | 4.10 A | |
| Номинальная Мощность | 125 W | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 3 Ω | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 125 W | |
| Пороговое Напряжение | 4 V | |
| Входная Ёмкость | 1300pF @25V | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 800 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 800 V | |
| Пробивное Напряжение (Затвор-Исток) | ±20.0 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 4.10 A | |
| Время Нарастания | 33 ns | |
| Входная емкость (Ciss) | 1300pF @25V(Vds) | |
| Время падения | 30 ns | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 125 W | |
| Длина | 10.41 mm | |
| Ширина | 4.7 mm | |
| Высота | 9.01 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ | |
| Упаковка | Bulk | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
