IRF7303TRPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF7303TRPBF

Infineon

SOIC N-CH 30V 4.9A

Наличие: 133 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 53.33

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC1967896

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF7303TRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF7303TRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC1967896
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2 W
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.05 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	1 V
Входная Ёмкость	520 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	4.9A
Время Нарастания	21 ns
Входная емкость (Ciss)	520pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2 W
Время падения	7.7 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2 W
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF7303TRPBF описание продукта

The IRF7303TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
Generation V technology
Ultra low ON-resistance
Surface-mount device
Dynamic dV/dt rating
Fast switching performance

Показывать

IRF7303TRPBF Даташит PDF

9 страницы, 231 КБ

10/06/2004