BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | IRF6691TRPBF | |
| Производитель | Infineon | |
| ЧипСити Номер продукта | CC182728616 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Труба MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Количество Выводов | 7 Pin | |
| Корпус/Пакет | Direct-FET | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 20.0 V | |
| Номинальный Ток | 32.0 A | |
| Номинальная Мощность | 2.8 W | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Серия Деталей | IRF6691 | |
| Входная Ёмкость | 6.58 nF | |
| Заряд Затвора | 71.0 nC | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 20 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 20.0 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 26.0 A, 32.0 mA | |
| Время Нарастания | 95 ns | |
| Входная емкость (Ciss) | 6580pF @10V(Vds) | |
| Максимальная входная мощность | 2.8 W | |
| Время падения | 10 ns | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -40 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -40℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
