IRF1010EPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF1010EPBF

Infineon

TO-220AB N-CH 60V 84A

Наличие: 45 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 22.73

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC1901471

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF1010EPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF1010EPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC1901471
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	170 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.012 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	170 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	3210pF @25V
Напряжение Сток-исток (Vds)	60 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	60 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	84A
Время Нарастания	78 ns
Входная емкость (Ciss)	3210pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	200 W
Время падения	53 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200W (Tc)
Длина	10.54 mm
Ширина	4.69 mm
Высота	8.77 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF1010EPBF описание продукта

The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET® power MOSFET from International rectifier utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Ultra low on-resistance
Dynamic dv/dt rating
Fast switching
Fully avalanche rated
Industry-leading quality
Planar MOSFET technology
±20V Gate to source voltage
1.4W/°C Linear derating factor
50A Avalanche current (IAR)
0.75°C/W Thermal resistance, junction to case
62°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Показывать

IRF1010EPBF Даташит PDF

8 страницы, 242 КБ

07/06/2010

просматривать

IRF1010EPBF Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IRF1010EPBF Другие Даташит

30 страницы, 664 КБ

просматривать

IRF1010EPBF Чертежные схемы

2 страницы, 176 КБ

08/19/2015

просматривать

IRF1010EPBF Примечание по применению

37 страницы, 2068 КБ

01/09/2017

просматривать

IRF1010EPBF Файл уведомления

2 страницы, 95 КБ

09/20/2016

просматривать

IRF1010EPBF Каталог продукции

10 страницы, 148 КБ

02/14/2002

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.86729LO28793V25Q0QC0S0