IR21271SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR21271SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin SOIC

Наличие: 218 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 46.47

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC4048100

Категория продукта:

Драйвер FET

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IR21271SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR21271SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC4048100
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Время Нарастания/Спада	80ns, 40ns
Количество Выходных Интерфейсов	1 Output
Выходное Напряжение	9.20 V
Выходной Ток	200 mA
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Время Нарастания	130 ns
Время падения	65 ns
Время падения (Макс)	65 ns
Время падения (Макс)	130 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	9V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

TEXTOOL 208-7391-55-1902

IR21271SPBF описание продукта

The IR21271SPBF is a single-channel current sensing high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with the proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V. The protection circuitry detects over-current in the driven power transistor and terminates the gate drive voltage. An open drain FAULT signal is provided to indicate that an over-current shutdown has occurred. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side or low-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout
3.3, 5 and 15V Input logic compatible
FAULT\ lead indicates shutdown has occurred
Output in phase with input

Показывать

IR21271SPBF Даташит PDF

16 страницы, 195 КБ

09/14/2004