IR2117SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2117SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC

Наличие: 15,548 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 78.54

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC4905700

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2117SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2117SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC4905700
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Номинальная Мощность	625 mW
Время Нарастания/Спада	80ns, 40ns
Количество Выходных Интерфейсов	1 Output
Выходное Напряжение	620 V
Выходной Ток	250 mA
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Ток Покоя	70 µA
Время Нарастания	80 ns
Время падения	40 ns
Время падения (Макс)	65 ns
Время падения (Макс)	130 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2117SPBF описание продукта

The IR2117SPBF is a single-channel Power MOSFET and IGBT Driver features proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Output in phase with input
High voltage
High speed

Показывать

IR2117SPBF Даташит PDF

18 страницы, 262 КБ

09/23/2004