IRF9Z24NSPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF9Z24NSPBF

Infineon

D2PAK P-CH 55V 12A

Наличие: 1,779 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 59.35

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC75296028

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF9Z24NSPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF9Z24NSPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC75296028
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальная Мощность	45 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.175 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	45 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	12A
Время Нарастания	55 ns
Входная емкость (Ciss)	350pF @25V(Vds)
Время падения	37 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3800 mW
Длина	10.67 mm
Ширина	9.65 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Rail, Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF9Z24NSPBF описание продукта

The IRF9Z24NSPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable device. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
Advanced process technology
Fast switching
Fully avalanche rating
Low static drain-to-source ON-resistance
Dynamic dV/dt rating

Показывать

IRF9Z24NSPBF Даташит PDF

11 страницы, 390 КБ

04/25/2005