IR2104STRPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2104STRPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.36A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R

Наличие: 2,236 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 19.60

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC492240

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2104STRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2104STRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC492240
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Время Нарастания/Спада	100ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	10.20 V
Выходной Ток	210 mA
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Ток Покоя	270 µA
Время Нарастания	170 ns
Время падения	90 ns
Время падения (Макс)	90 ns
Время падения (Макс)	170 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2104STRPBF описание продукта

The IR2104STRPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates from 10 to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout
3.3, 5 and 15V Logic input compatible
Cross-conduction prevention logic
Internally set dead-time
High-side output in phase with input
Shut down input turns OFF both channels
Matched propagation delay for both channels
Device has limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

Показывать

IR2104STRPBF Даташит PDF

14 страницы, 138 КБ

04/14/2004