IKW50N65F5FKSA1 Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IKW50N65F5FKSA1

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Наличие: 1,047 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 275.93

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC11347996

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IKW50N65F5FKSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IKW50N65F5FKSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC11347996
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	305 W
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	305 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	650 V
Обратное время восстановления	52 ns
Максимальная входная мощность	305 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	305000 mW
Длина	16.13 mm
Ширина	5.21 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IKW50N65F5FKSA1 описание продукта

The IKW50N65F5 is a High Speed IGBT in TRENCHSTOP™ 5 technology co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode. The TRENCHSTOP™ 5 IGBT technology redefines best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market"s high efficiency demands of tomorrow. It features best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability.
Factor 2.5 lower Qg
Factor 2 reduction in switching losses
Low COES/EOSS
Mild positive temperature coefficient VCE (sat)
Temperature stability of Vf
Higher power density design
200mV Reduction in VCE (sat)
50V Increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Green product
Halogen-free

Показывать

IKW50N65F5FKSA1 Даташит PDF

17 страницы, 2248 КБ

05/05/2015