IKW25N120H3FKSA1 Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

IKW25N120H3FKSA1

Infineon

IGBT Single Transistor, 25A, 2.4V, 326W, 1.2kV, TO-247, 3Pins

Наличие: 1,593 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 233.57

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC46335103

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Упаковка: TO-247-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 30.07.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IKW25N120H3FKSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IKW25N120H3FKSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC46335103
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	326 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	290 ns
Максимальная входная мощность	326 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	326000 mW
Длина	16.13 mm
Ширина	5.21 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IKW25N120H3FKSA1 описание продукта

The IKW25N120H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design.
Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Fast switching behaviour with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5R) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short-circuit capability
Excellent performance
Low switching and conduction losses
Very good EMI behaviour
Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Green product
Halogen-free

Показывать

IKW25N120H3FKSA1 Даташит PDF

16 страницы, 2143 КБ

12/01/2014

просматривать

IKW25N120H3FKSA1 Даташит PDF

14 страницы, 829 КБ

02/10/2010

просматривать

IKW25N120H3FKSA1 Даташит PDF

17 страницы, 2310 КБ

просматривать

IKW25N120H3FKSA1 Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IKW25N120H3FKSA1 Справочное руководство пользователя

264 страницы, 22893 КБ

01/30/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/07/30 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.25912LO52821V145Q0QC0S2