HGTG12N60A4D Купить - Fairchild Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

HGTG12N60A4D

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Наличие: 6,512 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 214.39

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC12152520

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 02.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

HGTG12N60A4D характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	HGTG12N60A4D
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC12152520
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	54.0 A
Номинальная Мощность	167 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	167 W
Время Нарастания	16.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	30 ns
Максимальная входная мощность	167 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	167000 mW
Длина	15.87 mm
Ширина	4.82 mm
Высота	20.82 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

HGTG12N60A4D описание продукта

The HGTG12N60A4D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
70ns at TJ = 125°C Fall time
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

HGTG12N60A4D Даташит PDF

8 страницы, 174 КБ