HGTG11N120CND Купить - Fairchild Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

HGTG11N120CND

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Наличие: 4,706 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 207.35

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC9601150

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

HGTG11N120CND характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	HGTG11N120CND
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC9601150
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	1.20 kV
Номинальный Ток	43.0 A
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	298 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	70 ns
Максимальная входная мощность	298 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	298000 mW
Высота	20.82 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

HGTG11N120CND описание продукта

The HGTG11N120CND is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
340ns at TJ = 150°C Fall time
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

HGTG11N120CND Даташит PDF

8 страницы, 106 КБ