FDV304P Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDV304P

Fairchild

Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3Pin SOT-23 T/R

Наличие: 38,517 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 23.56

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC5322936

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDV304P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDV304P
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC5322936
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Номинальное Напряжение (DC)	-25.0 V
Номинальный Ток	-460 mA
Номинальная Мощность	350 mW
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	1.22 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	350 mW
Напряжение Сток-исток (Vds)	25 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	-25.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	460 mA
Время Нарастания	8 ns
Входная емкость (Ciss)	63pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	350 mW
Время падения	35 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	350mW (Ta)
Длина	2.92 mm
Ширина	1.3 mm
Высота	0.93 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDV304P описание продукта

The FDV303N from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V. FDV303N is designed for battery power applications such as notebook, cellular phones and computers.
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
Drain to source voltage (Vds) of -25V
Gate to source voltage of -8V
Continuous drain current (Id) of -460mA
Power dissipation (pd) of 350mW
Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
Operating temperature range -55°C to 150°C

Показывать

FDV304P Даташит PDF

4 страницы, 64 КБ

09/29/1997