FDD86110 Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDD86110

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 100V 12.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Наличие: 404 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 91.72

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC48798433

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDD86110 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDD86110
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC48798433
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0085 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	127 W
Пороговое Напряжение	2.8 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	12.5A
Входная емкость (Ciss)	2265pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	3.1 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3.1W (Ta), 127W (Tc)
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDD86110 описание продукта

The FDD86110 is a 100V N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
Shielded gate MOSFET technology
100% UIL tested

Показывать

FDD86110 Даташит PDF

8 страницы, 520 КБ