FDB33N25TM Купить - ON Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDB33N25TM

ON Semiconductor

MOSFET Transistor, N Channel, 33A, 250V, 0.077Ω, 10V, 3V

Наличие: 3,116 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 62.71

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC1426103

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDB33N25TM характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDB33N25TM
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC1426103
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.077 Ω
Рассеяние Мощности	235 W
Пороговое Напряжение	3 V
Входная Ёмкость	1640 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	250 V
Время Нарастания	230 ns
Входная емкость (Ciss)	1640pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	235 W
Время падения	120 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	235 W
Длина	10.67 mm
Ширина	11.33 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDB33N25TM описание продукта

The FDB33N25TM is a 250V N-channel UniFET™ MOSFET based on planar stripe and DMOS technology. This high voltage MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode"s reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100ns and the reverse dv/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200ns and 4.5V/ns respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET"s body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts. This product is general usage and suitable for many different applications.
Low gate charge
100% Avalanche tested

Показывать

FDB33N25TM Даташит PDF

FDB33N25TM Другие Даташит

10 страницы, 539 КБ

просматривать

FDB33N25TM Другие Даташит

9 страницы, 917 КБ

09/14/2004

просматривать

FDB33N25TM Другие Даташит

8 страницы, 428 КБ

11/22/2013

просматривать

FDB33N25TM Файл уведомления

7 страницы, 900 КБ

04/01/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.09296LO21537V55Q0QC0S0