BSZ0901NS Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BSZ0901NS

Infineon

TSDSON N-CH 30V 22A

Наличие: 150 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 31.36

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC67209700

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

BSZ0901NS характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BSZ0901NS
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC67209700
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Корпус/Пакет	PG-TSDSON-8
Количество Каналов	1 Channel
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Пороговое Напряжение	2.2 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	22A
Время Нарастания	6.8 ns
Входная емкость (Ciss)	2850pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	50 W
Время падения	4.8 ns
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Длина	3.3 mm
Ширина	3.3 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

BSZ0901NS описание продукта

Description:
With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package.
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life.
Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Summary of Features:
Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
Benefits:
Increased battery lifetime
Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete
Saving costs
Saving space
Reducing power losses

Показывать

BSZ0901NS Даташит PDF

9 страницы, 721 КБ

05/10/2013