BGB741L7ESDE6327XTSA1 Купить - Infineon Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BGB741L7ESDE6327XTSA1

Infineon

Wide Band Low Power, 50MHz Min, 5500MHz Max, 2 X 1.3MM, 0.4MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, TLSP-7-1, SMD, 6Pin

Наличие: 46,257 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 61.93

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC2858400

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

BGB741L7ESDE6327XTSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BGB741L7ESDE6327XTSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC2858400
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSLP-7-1
Частота	50MHz ~ 3.5GHz
Ток Питания	30 mA
Количество Стежков	7 Position
Усиление	19 dB
Частота испытаний	1.5 GHz
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	120 mW
Напряжение питания	1.8V ~ 4V
Напряжение питания (Макс)	4 V
Напряжение питания (мин)	1.8 V
Длина	2 mm
Ширина	1.3 mm
Высота	0.45 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

BGB741L7ESDE6327XTSA1 описание продукта

The BGB 741L7ESD E6327 is a robust low-noise Broadband RF Amplifier MMIC based on Infineon"s reliable high volume silicon germanium carbon bipolar technology. Its integrated feedback provides a broadband pre-match to 50R at input and output up to 3.5GHz and improves the stability against parasitic oscillations. These measures simplify the design of arbitrary LNA application circuits. The integrated active biasing reduces the external parts count and stabilizes the bias current against temperature- and process-variations. The integrated protection elements make the device robust against electrostatic discharge (ESD) and high RF input power levels. The device is highly flexible because the bias current is adjustable and the device works with a broad supply voltage range.
High performance amplifier
High RF input power robustness of 20dBm
Power-OFF function
Halogen-free

Показывать

BGB741L7ESDE6327XTSA1 Даташит PDF

22 страницы, 1218 КБ

09/10/2012