BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | BC212B | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC161644517 | |
| Жизненный Цикл Продукта | В производстве | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-92-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | -50.0 V | |
| Номинальный Ток | -100 mA | |
| Рассеяние Мощности | 350 mW | |
| Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания | 280 MHz | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 50 V | |
| hFE Min | 60 @2mA, 5V | |
| Максимальная входная мощность | 350 mW | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | 55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 350 mW | |
| Длина | 5.2 mm | |
| Ширина | 4.19 mm | |
| Высота | 5.33 mm | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Bulk | |
| RoHS Комплаенс | Non-Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Contains Lead | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
