ZXMN7A11GTA Купить - Diodes Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

ZXMN7A11GTA

Diodes

Trans MOSFET N-CH 70V 3.8A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Наличие: 8,056 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 53.33

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Diodes

ЧипСити Номер продукта:

CC13347260

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

ZXMN7A11GTA характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	ZXMN7A11GTA
Производитель	Diodes
ЧипСити Номер продукта	CC13347260
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	SOT-223-3
Номинальное Напряжение (DC)	70.0 V
Номинальный Ток	3.80 A
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	3.9 W
Входная Ёмкость	298 pF
Заряд Затвора	4.35 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	70 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	3.80 A
Время Нарастания	2 ns
Входная емкость (Ciss)	298pF @40V(Vds)
Максимальная входная мощность	2 W
Время падения	5.8 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3900 mW
Длина	6.7 mm
Ширина	3.7 mm
Высота	1.65 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
	Показывать Просмотр аналоги замена

ZXMN7A11GTA описание продукта

This ZXMN7A11GTA power MOSFET from Diodes Zetex can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 3900 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with tmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

Показывать

ZXMN7A11GTA Даташит PDF

ZXMN7A11GTA Другие Даташит

183 страницы, 647 КБ

06/30/2016

просматривать

ZXMN7A11GTA Другие Даташит

5 страницы, 231 КБ

01/12/2015

просматривать

ZXMN7A11GTA Примечание по применению

8 страницы, 1053 КБ

03/04/2015

просматривать

ZXMN7A11GTA Упаковка

8 страницы, 418 КБ

12/01/2006

просматривать

ZXMN7A11GTA Другие ссылки

1 страницы, 154 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/11/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.7951LO68574V36Q0QC0S1