TLC272IDR Купить - TI Операционный усилитель

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

TLC272IDR

Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1.7MHz, 3.6V/µs, 4V to 16V, SOIC, 8Pins

Наличие: 785 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 36.37

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC17775793

Категория продукта:

Операционный усилитель

3D модель

Оплата:

Обновлено 16.09.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

TLC272IDR характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	TLC272IDR
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC17775793
Категория продукта	Операционный усилитель
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Выходной Ток	≤30 mA
Ток Питания	1.4 mA
Количество Цепей	2 Circuit
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	0.725 W
Коэффициент Ослабления Синфазного Сигнала	65 dB
Входной Дрейф Смещения	1.80 µV/K
Ширина Ленты	1.7 MHz
Скорость Нарастания	3.60 V/μs
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания	1.7 MHz
Входное Напряжение Смещения	1.1 mV
Входной Ток Смещения	0.7 pA
Рабочая температура (Макс)	85 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Gain Bandwidth	2.2 MHz
Рассеиваемая Мощность (Макс)	725 mW
Минимальный диапазон CMRR	65 dB
Напряжение питания	4V ~ 16V
Длина	4.9 mm
Ширина	3.91 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 85℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
	Показывать Просмотр аналоги замена

TLC272IDR описание продукта

The TLC272 and TLC277 precision dual operational amplifiers combine a wide range of input offset voltage grades with low offset voltage drift, high input impedance, low noise, and speeds approaching those of general-purpose BiFET devices.
These devices use Texas Instruments silicon-gate LinCMOS technology, which provides offset voltage stability far exceeding the stability available with conventional metal-gate processes.
The extremely high input impedance, low bias currents, and high slew rates make these cost-effective devices ideal for applications previously reserved for BiFET and NFET products. Four offset voltage grades are available (C-suffix and I-suffix types), ranging from the low-cost TLC272 (10 mV) to the high-precision TLC277 (500 uV). These advantages, in combination with good common-mode rejection and supply voltage rejection, make these devices a good choice for new state-of-the-art designs as well as for upgrading existing designs.
In general, many features associated with bipolar technology are available on LinCMOS operational amplifiers without the power penalties of bipolar technology. General applications such as transducer interfacing, analog calculations, amplifier blocks, active filters, and signal buffering are easily designed with the TLC272 and TLC277. The devices also exhibit low voltage single-supply operation, making them ideally suited for remote and inaccessible battery-powered applications. The common-mode input voltage range includes the negative rail.
A wide range of packaging options is available, including small-outline and chip carrier versions for high-density system applications.
The device inputs and outputs are designed to withstand 100-mA surge currents without sustaining latch-up.
The TLC272 and TLC277 incorporate internal ESD-protection circuits that prevent functional failures at voltages up to 2000 V as tested under MIL-STD-883C, Method 3015.2; however, care should be exercised in handling these devices as exposure to ESD may result in the degradation of the device parametric performance.
The C-suffix devices are characterized for operation from 0°C to 70°C. The I-suffix devices are characterized for operation from 40°C to 85°C. The M-suffix devices are characterized for operation over the full military temperature range of 55°C to 125°C.

Показывать

TLC272IDR Даташит PDF

53 страницы, 1788 КБ

03/10/2015

просматривать

TLC272IDR Даташит PDF

53 страницы, 1789 КБ

09/15/2016

просматривать

TLC272IDR Даташит PDF

53 страницы, 1789 КБ

05/15/2016

просматривать

TLC272IDR Даташит PDF

51 страницы, 1522 КБ

06/11/2014

просматривать

TLC272IDR Даташит PDF

47 страницы, 989 КБ

05/08/2008

просматривать

TLC272IDR Даташит PDF

51 страницы, 1564 КБ

10/25/2016

просматривать

TLC272IDR Даташит PDF

51 страницы, 1712 КБ

просматривать

TLC272IDR Другие ссылки

1 страницы, 130 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/09/16 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H4.11407LO66534V134Q0QC0S0