STPSC20H065CW Купить - ST Microelectronics Массив диода

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STPSC20H065CW

ST Microelectronics

STMICROELECTRONICS STPSC20H065CW Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 650V Series, Dual Common Cathode, 650V, 20A, 28.5NC, TO-247

Наличие: 1,136 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 796.64

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC9445063

Категория продукта:

Массив диода

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STPSC20H065CW характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STPSC20H065CW
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC9445063
Категория продукта	Массив диода
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Напряжение в Прямом Направлении	1.75V @10A
Обратное время восстановления	0 ns
Прямой ток	20 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	470 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.75V @10A
Прямой ток (макс)	20 A
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения (Макс)	175 ℃
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STPSC20H065CW описание продукта

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
**Key Features**
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC applications
High forward surge capability

Показывать

STPSC20H065CW Даташит PDF

9 страницы, 165 КБ

02/21/2013