IGP50N60T Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IGP50N60T

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Наличие: 1,102 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 301.02

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC13522944

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IGP50N60T характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IGP50N60T
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC13522944
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	333 W
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	333 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Максимальная входная мощность	333 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	333 W
Длина	10.36 mm
Ширина	4.57 mm
Высота	15.95 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IGP50N60T описание продукта

The IGP50N60T is a 600V Discrete IGBT Single Transistor without anti-parallel diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
High device reliability
±20V Gate to emitter voltage (VGE)
0.45K/W IGBT thermal resistance, junction to case
40K/W IGBT thermal resistance, junction - ambient

Показывать

IGP50N60T Даташит PDF

12 страницы, 460 КБ

05/26/2015

просматривать

IGP50N60T Даташит PDF

12 страницы, 529 КБ

02/25/2014

просматривать

IGP50N60T Даташит PDF

12 страницы, 490 КБ

05/26/2015

просматривать

IGP50N60T Даташит PDF

1 страницы, 361 КБ

05/26/2009

просматривать

IGP50N60T Даташит PDF

13 страницы, 476 КБ

03/30/2012

просматривать

IGP50N60T Даташит PDF

13 страницы, 529 КБ

01/24/2015

просматривать

IGP50N60T Другие Даташит

13 страницы, 639 КБ

01/24/2015

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.00782LO28219V41Q0QC0S0