STGWT80H65DFB Купить - ST Microelectronics Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STGWT80H65DFB

ST Microelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Наличие: 211 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 616.65

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC4268900

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 12.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

STGWT80H65DFB характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STGWT80H65DFB
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC4268900
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-3-3
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	469 W
Входная Ёмкость	10524 pF
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	650 V
Тепловое Сопротивление	50 ℃/W
Обратное время восстановления	85 ns
Максимальная входная мощность	469 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	469 W
Длина	15.8 mm
Ширина	5 mm
Высота	20.1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

STGWT80H65DFB описание продукта

The STGWT80H65DFB IGBT transistor from STMicroelectronics will work effectively even with higher currents. It has a maximum collector emitter voltage of 650 V. Its maximum power dissipation is 469000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.

Показывать

STGWT80H65DFB Даташит PDF

20 страницы, 1795 КБ

02/21/2013

просматривать

STGWT80H65DFB Даташит PDF

18 страницы, 973 КБ

11/17/2016

просматривать

STGWT80H65DFB Даташит PDF

22 страницы, 1459 КБ

02/21/2013

просматривать

STGWT80H65DFB Даташит PDF

11 страницы, 628 КБ

02/21/2013

просматривать

STGWT80H65DFB Даташит PDF

21 страницы, 1048 КБ

09/21/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/12 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.73572LO0V1Q0QC0S0