S29GL512S10TFI010 Купить - Cypress Semiconductor Чип Flash

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

S29GL512S10TFI010

Cypress Semiconductor

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 32M x 16Bit 100ns 56Pin TSOP Tray

Наличие: 83 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 290.81

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Cypress Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC2652682

Категория продукта:

Чип Flash

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 14.04.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

S29GL512S10TFI010 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	S29GL512S10TFI010
Производитель	Cypress Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC2652682
Жизненный Цикл Продукта	В производстве
Категория продукта	Чип Flash
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	56 Pin
Корпус/Пакет	TSOP-56
Напряжение Питания (DC)	2.70V (min)
Ток Питания	60 mA
Количество Стежков	56 Position
Количество Битов	16 Bit
Время Доступа	100 ns
Размер памяти	64000000 B
Время доступа (Макс)	100 ns
Рабочая температура (Макс)	85 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	2.7V ~ 3.6V
Напряжение питания (Макс)	3.6 V
Напряжение питания (мин)	2.7 V
Рабочая Температура	-40℃ ~ 85℃
Упаковка	Tray
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

S29GL512S10TFI010 описание продукта

The S29GL512S10TFI010 is a 512Mbit 3V, page flash with 90nm MirrorBit process technology in 56 pin TSOP package. This device offers a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time as fast as 100ns at regulated VCC. It features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes device ideal for today"s embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption. It has an uniform 64Kword/128Kbyte sector architecture with five hundred twelve sectors, hardware reset input (RESET#) resets device and ready/busy# output (RY/BY#) detects program or erase cycle completion.
VIO = VCC = 2.7V to 3.6V, highest address sector protected
8-word/16-byte page read buffer
100000 erase cycles per sector typical and 20year data retention typical
Write operation status bits indicate program and erase operation completion
Unlock bypass program command to reduce programming time
Support for CFI (Common Flash Interface)
Persistent and password methods of advanced sector protection
Suspend and resume commands for program and erase operations
Industrial temperature range from -40°C to +85°C
WP#/ACC input, protects first or last sector regardless of sector protection settings

Показывать

S29GL512S10TFI010 Даташит PDF

102 страницы, 8568 КБ

09/07/2016