| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | NTE180 | |
| Производитель | NTE Electronics | |
| ЧипСити Номер продукта | CC56300953 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 2 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-3 | |
| Частота | 2 MHz | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 90.0 V | |
| Номинальный Ток | 30.0 A | |
| Количество Стежков | 2 Position | |
| Полярность | PNP, P-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 200 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 100V (min) | |
| Непрерывный ток коллектора | 30A | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 25 | |
| Рабочая температура (Макс) | 200 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 200000 mW | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 200℃ | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| HTS кодекс | 85412900951 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||