| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | NTE123 | |
| Производитель | NTE Electronics | |
| ЧипСити Номер продукта | CC50483392 | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-39 | |
| Частота | 300 MHz | |
| Полярность | NPN | |
| Рассеяние Мощности | 800 mW | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-База) | 75.0 V (min) | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 40.0V (min) | |
| Непрерывный ток коллектора | 0.8A | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 35 | |
| Рабочая температура (Макс) | 200 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 800 mW | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 200℃ | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2014/12/17 | |
| HTS кодекс | 85412100959 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн