NIS5135MN1TXG Купить - ON Semiconductor Чип управления батареи

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

Hot Swap Controller 1CH 18V N-Channel Positive Voltage 10Pin DFN EP T/R

Наличие: 97 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 51.70

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC18327837

Категория продукта:

Чип управления батареи

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 12.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

NIS5135MN1TXG характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NIS5135MN1TXG
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC18327837
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Чип управления батареи
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	10 Pin
Корпус/Пакет	DFN-10
Напряжение Питания (DC)	3.10V (min)
Номинальный Ток	3.6 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Входное Напряжение (DC)	18.0 V
Выходной Ток	3.6 A
Количество Цепей	1 Circuit
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	10 Position
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Уровень напряжения	5 V
Напряжение питания (Макс)	18 V
Напряжение питания (мин)	3.1 V
Входное напряжение	3.1V ~ 18V
Длина	3 mm
Ширина	3 mm
Высота	0.95 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

NIS5135MN1TXG описание продукта

The NIS5135MN1TXG is a +5volt electronic fuse in 10 pin DFN package. It is a cost effective, resettable fuse which can greatly enhance reliability of hard drive or other circuit from both catastrophic and shutdown failures. The device contains circuits to monitor input voltage, output voltage, output current and die temperature. It is designed to buffer load device from excessive input voltage which can damage sensitive circuits. The NIS5135MN1TXG also includes an overvoltage clamp circuit that limits output voltage during transients but does not shut the unit down thereby allowing load circuit to continue operation. It is typically used in mother board, hard drives and fan drives.
Thermal latching option
Integrated power device
Power device thermally protected and no external current shunt required
Minimum operating voltage of 3.1V and on-resistance of 68mohm at TJ = 140°C
Continuous current of 3.6A at TA = 25°C and off state output voltage of 50mV
Internal charge pump, undervoltage lockout and circuit overvoltage clamp
2000V human body model (HBM), 200V machine model (MM) ESD ratings
Delay time (enabling of chip to ID = 100mA with 1 A resistive load) of 500µs
Bias current (operational) of 1.5mA and bias current (shutdown) of 1mA
Operating temperature range from -40°C to 150°C

Показывать

NIS5135MN1TXG Даташит PDF

11 страницы, 282 КБ

02/25/2013