NGTB30N120L2WG Купить - ON Semiconductor Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NGTB30N120L2WG

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Наличие: 1,136 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 439.93

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC40616529

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

NGTB30N120L2WG характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NGTB30N120L2WG
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC40616529
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	534 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	450 ns
Максимальная входная мощность	534 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	534 W
Длина	16.25 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	21.4 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

NGTB30N120L2WG описание продукта

The NGTB30N120L2WG IGBT transistor from ON Semiconductor is perfect to use as an electronic switch eliminating the current at the gate. Its maximum power dissipation is 468000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes field stop ii|trench technology.

Показывать

NGTB30N120L2WG Даташит PDF

7 страницы, 96 КБ

10/30/2013

просматривать

NGTB30N120L2WG Даташит PDF

8 страницы, 103 КБ

03/14/2018

просматривать

NGTB30N120L2WG Другие Даташит

7 страницы, 101 КБ

10/30/2013

просматривать

NGTB30N120L2WG Другие Даташит

4 страницы, 397 КБ

08/28/2017

просматривать

NGTB30N120L2WG Другие Даташит

4 страницы, 174 КБ

11/26/2015

просматривать

NGTB30N120L2WG Другие Даташит

2 страницы, 469 КБ

12/24/2012

просматривать

NGTB30N120L2WG Файл уведомления

4 страницы, 174 КБ

11/26/2015

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.12945LO0V1Q0QC0S0