| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | NE5517D | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC172388364 | |
| Категория продукта | Буферный усилитель | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Корпус/Пакет | SOIC-16 | |
| Ток Питания | 2.6 mA | |
| Количество Цепей | 2 Circuit | |
| Количество Каналов | 2 Channel | |
| Рассеяние Мощности | 1125 mW | |
| Коэффициент Ослабления Синфазного Сигнала | 80 dB | |
| Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания | 2 MHz | |
| Входное Напряжение Смещения | 400 µV | |
| Входной Ток Смещения | 400 nA | |
| Рабочая температура (Макс) | 70 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | 0 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 1125 mW | |
| Напряжение питания (Макс) | 44 V | |
| Напряжение питания (мин) | 4 V | |
| Длина | 10 mm | |
| Ширина | 4 mm | |
| Рабочая Температура | 0℃ ~ 70℃ | |
| Жизненный Цикл Продукта | Unknown | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Contains Lead | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн