NDP6020P Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDP6020P

Fairchild

Trans MOSFET P-CH 20V 24A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Наличие: 1,013 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 71.91

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11559423

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDP6020P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDP6020P
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11559423
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	-20.0 V
Номинальный Ток	-24.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.041 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	60 W
Напряжение Сток-исток (Vds)	20 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	-24.0 A
Время Нарастания	27 ns
Входная емкость (Ciss)	1590pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	60 W
Время падения	70 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	60W (Tc)
Длина	10.67 mm
Ширина	4.7 mm
Высота	16.3 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDP6020P описание продукта

The NDP6020P is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
Internal source drain diode can eliminate need for an external Zener diode transient suppressor
High density cell design for extremely low RDS (ON)

Показывать

NDP6020P Даташит PDF

6 страницы, 63 КБ

12/10/1998