Атрибут | Значение атрибута | |
---|---|---|
Номенклатура | NDFPD1N150CG | |
Производитель | ON Semiconductor | |
ЧипСити Номер продукта | CC21952596 | |
Категория продукта | Высоковольтное MOS | |
Даташит | Datasheet | |
3D модель | 3D модель | |
Стиль Монтажа | Through Hole | |
Количество Выводов | 3 Pin | |
Корпус/Пакет | TO-220-3 | |
Количество Стежков | 3 Position | |
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 100 Ω | |
Полярность | N-Channel | |
Рассеяние Мощности | 20 W | |
Входная Ёмкость | 80 pF | |
Напряжение Сток-исток (Vds) | 1.5 kV | |
Непрерывный Ток Стока (Ids) | 0.1A | |
Время Нарастания | 13 ns | |
Входная емкость (Ciss) | 80pF @30V(Vds) | |
Время падения | 280 ns | |
Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 2W (Ta), 20W (Tc) | |
Длина | 28.85 mm | |
Ширина | 10.16 mm | |
Высота | 4.7 mm | |
Рабочая Температура | 150℃ (TJ) | |
Жизненный Цикл Продукта | Active | |
Упаковка | Tube | |
RoHS Комплаенс | Compliant with Exemption | |
Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн