BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | MMBF4393LT1G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC668258 | |
| Категория продукта | Транзистор JFET | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | SOT-23-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 30.0 V | |
| Номинальный Ток | 50.0 mA | |
| Безгалогеновый Статус | Halogen Free | |
| Пробивное Напряжение | -30.0 V | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 100 Ω | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 225 mW | |
| Входная Ёмкость | 14 pF | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 30 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 30 V | |
| Пробивное Напряжение (Затвор-Исток) | 30 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 50.0 mA | |
| Обратное напряжение пробоя | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) | 14pF @15V(Vds) | |
| Максимальная входная мощность | 225 mW | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 225 mW | |
| Длина | 3.04 mm | |
| Ширина | 1.4 mm | |
| Высота | 1.01 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
