BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | MJD42C1G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC23618369 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-251-3 | |
| Частота | 3 MHz | |
| Номинальное Напряжение (DC) | -100 V | |
| Номинальный Ток | -6.00 A | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Полярность | PNP | |
| Рассеяние Мощности | 20 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 100 V | |
| Непрерывный ток коллектора | 6A | |
| hFE Min | 15 @3A, 4V | |
| Максимальная входная мощность | 1.75 W | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 15 | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 1750 mW | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
