BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | MJD117G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC12989437 | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Количество Выводов | 4 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-252-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | -100 V | |
| Номинальный Ток | -2.00 A | |
| Безгалогеновый Статус | Halogen Free | |
| Выходное Напряжение | 100 V | |
| Выходной Ток | 2 A | |
| Количество Стежков | 4 Position | |
| Полярность | PNP | |
| Рассеяние Мощности | 1.75 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 100 V | |
| Тепловое Сопротивление | 71.4℃/W (RθJA) | |
| Непрерывный ток коллектора | 2A | |
| hFE Min | 1000 @2A, 3V | |
| hFE Max | 12000 | |
| Максимальная входная мощность | 1.75 W | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 12 | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Gain Bandwidth | 25MHz (Min) | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 1750 mW | |
| Входное напряжение | 5 V | |
| Длина | 6.73 mm | |
| Ширина | 6.22 mm | |
| Высота | 2.38 mm | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 150℃ | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
