MC33153DR2G Купить - ON Semiconductor Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MC33153DR2G

ON Semiconductor

MC Series 1A 20V 100KΩ Surface Mount Single IGBT Gate Driver - SOIC-8

Наличие: 6,694 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 59.58

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC4538769

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MC33153DR2G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MC33153DR2G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC4538769
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	0.00V(min), 15.0V(max)
Время Нарастания/Спада	17 ns
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Количество Выходных Интерфейсов	1 Output
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	560 mW
Рабочая температура (Макс)	105 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	11.7V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	15 V
Напряжение питания (мин)	0 V
Рабочая Температура	-40℃ ~ 105℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MC33153DR2G описание продукта

The MC33153 is specifically designed as an IGBT driver for high power applications that include ac induction motor control, brushless dc motor control and uninterruptable power supplies. Although designed for driving discrete and module IGBTs, this device offers a cost effective solution for driving power MOSFETs and Bipolar Transistors. Device protection features include the choice of desaturation or overcurrent sensing and undervoltage detection. These devices are available in dual−in−line and surface mount packages.
Features
•High Current Output Stage: 1.0 A Source/2.0 A Sink
•Protection Circuits for Both Conventional and Sense IGBTs
•Programmable Fault Blanking Time
•Protection against Overcurrent and Short Circuit
•Undervoltage Lockout Optimized for IGBT’s
•Negative Gate Drive Capability
•Cost Effectively Drives Power MOSFETs and Bipolar Transistors
•Pb−Free Packages are Available

Показывать

MC33153DR2G Даташит PDF

14 страницы, 164 КБ

08/13/2013