MBRS410LT3G Купить - ON Semiconductor Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MBRS410LT3G

ON Semiconductor

Diode Schottky 10V 4A 2Pin SMC T/R

Наличие: 404 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 105.83

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC4768565

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MBRS410LT3G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MBRS410LT3G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC4768565
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	DO-214AB
Номинальное Напряжение (DC)	10.0 V
Номинальный Ток	4.00 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Выходной Ток	≤4.00 A
Ток Нагрузки	4 A
Количество Стежков	2 Position
Напряжение в Прямом Направлении	330mV @4A
Полярность	Standard
Тепловое Сопротивление	12℃/W (RθJL)
Прямой ток	4 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	150 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	330 mV
Прямой ток (макс)	4 A
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Длина	7.11 mm
Ширина	6.1 mm
Высота	2.26 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2016/06/20
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MBRS410LT3G описание продукта

The MBRS410LT3G is a surface-mount Schottky Power Rectifier with epoxy moulded case and all external surfaces corrosion-resistant and terminal leads are readily solderable finish. This device employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface-mount applications where compact size and weight are critical to the system.
Highly stable oxide passivated junction
Very low forward voltage drop
Excellent ability to withstand reverse avalanche energy transients
Guard-ring for stress protection
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

MBRS410LT3G Даташит PDF

4 страницы, 51 КБ

08/07/2005