MBRB20200CTT4G Купить - ON Semiconductor Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MBRB20200CTT4G

ON Semiconductor

ON SEMICONDUCTOR MBRB20200CTT4G Schottky Rectifier, 200V, 20A, Dual Common Cathode, TO-263, 3Pins, 1V

Наличие: 2,815 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 161.80

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC1513463

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 14.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MBRB20200CTT4G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MBRB20200CTT4G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC1513463
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальное Напряжение (DC)	200 V
Номинальный Ток	20 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Количество Стежков	3 Position
Напряжение в Прямом Направлении	900mV @10A
Обратное время восстановления	55 ns
Прямой ток	20 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	150 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1 V
Прямой ток (макс)	20 A
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Длина	10.29 mm
Ширина	9.65 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2016/06/20
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MBRB20200CTT4G описание продукта

This device uses the Schottky Barrier technology with a platinum barrier metal. This state−of−the−art device is designed for use in high frequency switching power supplies and converters with up to 48 V outputs. They block up to 200 V and offer improved Schottky performance at frequencies from 250 kHz to 5.0 MHz.
Features
• 200 V Blocking Voltage
• Low Forward Voltage Drop
• Guardring for Stress Protection and High dv/dt Capability (10,000 V/μs)
• Dual Diode Construction − Terminals 1 and 3 Must be Connected for Parallel Operation at Full Rating
• Pb−Free Packages are Available

Показывать

MBRB20200CTT4G Даташит PDF

5 страницы, 143 КБ

01/13/2012