MBR360G Купить - ON Semiconductor Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

MBR360G

ON Semiconductor

ON SEMICONDUCTOR MBR360G Schottky Rectifier, 60V, 3A, Single, DO-201AD, 2Pins, 740mV

Наличие: 658 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 16.46

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC4310904

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

MBR360G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	MBR360G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC4310904
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	DO-201AD
Номинальное Напряжение (DC)	60.0 V
Номинальный Ток	3.00 A
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Выходной Ток	≤3.00 A
Количество Стежков	2 Position
Напряжение в Прямом Направлении	740mV @3A
Полярность	Standard
Тепловое Сопротивление	28℃/W (RθJA)
Прямой ток	3 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	80 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	740 mV
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Температура соединения (Макс)	150 ℃
Длина	9.5 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	5.3 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Bulk
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

MBR360G описание продукта

The MBR360G is an axial-leaded Schottky Barrier Rectifier with an epoxy molded case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal lead is readily solderable finish. This device employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifier in low-voltage, high-frequency inverter, freewheeling and polarity protection diodes.
Cathode indicated by polarity band
Extremely low forward voltage
Low power loss and high efficiency
Highly stable oxide passivated junction
Low stored charge and majority carrier conduction

Показывать

MBR360G Даташит PDF

4 страницы, 60 КБ

06/30/2006