LM5110-1M/NOPB Купить - TI Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

LM5110-1M/NOPB

MOSFET Driver, 2Outputs, Low Side, 3.5V-14V supply, 5A and 30Ω output, SOIC-8

Наличие: 256 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 111.57

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC23289928

Категория продукта:

Драйвер FET

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 13.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

LM5110-1M/NOPB характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	LM5110-1M/NOPB
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC23289928
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	14.0V (max)
Время Нарастания/Спада	14ns, 12ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходной Ток	5 A
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Ток Покоя	1.00 mA
Время Нарастания	25 ns
Время падения	25 ns
Время падения (Макс)	25 ns
Время падения (Макс)	25 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	3.5V ~ 14V
Напряжение питания (Макс)	14 V
Напряжение питания (мин)	3.5 V
Длина	4.9 mm
Ширина	3.9 mm
Высота	1.45 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

LM5110-1M/NOPB описание продукта

The LM5110-1M/NOPB is a dual 5A compound Gate Driver with negative output voltage capability. Each "compound" output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Separate input and output ground pins provide negative drive capability allowing the user to drive MOSFET gates with positive and negative VGS voltages. The gate driver control inputs are referenced to a dedicated input ground. The gate driver outputs swing from VCC to the output ground VEE which can be negative with respect to IN_REF. The ability to hold MOSFET gates off with a negative VGS voltage reduces losses when driving low threshold voltage MOSFETs often used as synchronous rectifiers. Under-voltage lockout protection and a shutdown input pin are also provided.
Independently drives two N-channel MOSFETs
Compound CMOS and bipolar outputs reduce output current variation
Available in dual non-inverting, dual inverting and combination configurations
Shutdown input provides low power mode
Supply rail under-voltage lockout protection
Pin-out compatible with industry standard gate drivers
Two channels can be connected in parallel to double the drive current
Independent inputs (TTL compatible)
25ns Typical fast propagation times
Green product and no Sb/Br
This device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

Показывать

LM5110-1M/NOPB Даташит PDF

20 страницы, 987 КБ

03/26/2015