Атрибут | Значение атрибута | |
---|---|---|
Номенклатура | IXGN200N60B | |
Производитель | IXYS Semiconductor | |
ЧипСити Номер продукта | CC268287126 | |
Категория продукта | Транзистор IGBT | |
Даташит | Datasheet | |
3D модель | 3D модель | |
Стиль Монтажа | Surface Mount | |
Количество Выводов | 4 Pin | |
Корпус/Пакет | SOT-227-4 | |
Рассеяние Мощности | 600000 mW | |
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 600 V | |
Входная емкость (Cies) | 11nF @25V | |
Максимальная входная мощность | 600 W | |
Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 600000 mW | |
Ширина | 25.42 mm | |
Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
Жизненный Цикл Продукта | Obsolete | |
Упаковка | Tube | |
RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн