BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | IXFR36N60P | |
| Производитель | IXYS Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC55195250 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Высоковольтное MOS | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-247-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 600 V | |
| Номинальный Ток | 36.0 A | |
| Количество Каналов | 1 Channel | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 0.2 Ω | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 208 W | |
| Пороговое Напряжение | 5 V | |
| Входная Ёмкость | 5.80 nF | |
| Заряд Затвора | 102 nC | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 600 V | |
| Пробивное Напряжение (Стока-исток) | 600 V | |
| Непрерывный Ток Стока (Ids) | 20.0 A | |
| Время Нарастания | 25 ns | |
| Напряжение Изоляции | 2.50 kV | |
| Входная емкость (Ciss) | 5800pF @25V(Vds) | |
| Максимальная входная мощность | 208 W | |
| Время падения | 22 ns | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 208W (Tc) | |
| Длина | 16.13 mm | |
| Ширина | 5.21 mm | |
| Высота | 21.34 mm | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/06/15 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
